SiS анонсира 4 канален RDRAM чипсет

SiS, Samsung, ASUS и Rambus Inc. анонсираха съвместното разработване на следващото поколение RDRAM чипсет SiSR659. Той ще управлява 4 канала по 1200MHz RDRAM памет, с което теоретично широчината на шината за паметта става 9.6GB/s. Това представлява 50% по-добра производителност спрямо двуканалните DDR чипсети. SiSR659 ще може да поддържа капацитет от общо 16GB памет. Хардуерна промяна няма да има и сегашните RIMM модули ще бъдат съвместими с новия чипсет. SiSR659 ще върви с южен мост SiS964, в който ще бъде интегрирана поддръжката на 8 USB 2.0 порта, както и Serial ATA. Очаква се да се появи към края на годината.

Източник: Warp2Search