Тази седмица южнокорейската компания Samsung Electronics запозна инвеститорите с непосредствените си планове да премине към производство на продукти, използващи нови етапи на литографската й технология. През втората половина на следващата година се очаква да се произвеждат продукти, използващи второто поколение на 3nm технологичен процес (SF3), както и вариант на 4nm технология (SF4X).

Както отбелязва AnandTech, през втората половина на следващата година южнокорейският гигант обеща да започне масово производство на продукти, използващи второ поколение 3nm технология и четвърто поколение 4nm технологичен процес за високопроизводителни компоненти (HPC). Пазарът би трябвало да се върне към растеж, тъй като мобилният сегмент се съживява, а търсенето на HPC компоненти нараства.

Процесът SF3 ще бъде важен ъпгрейд спрямо съществуващия процес SF3E, който се използва за ограничен набор от продукти като ускорители за добив на криптовалути с доста проста архитектура. Процесът SF3, според Samsung, ще предложи възможност за създаване на по-разнообразни компоненти, тъй като ширината на канала на заобикалящите го транзистори (GAA) ще варира.

Компанията избягва пряко сравнение на процесите SF3E и SF3, но отбелязва, че последният, в сравнение с SF4, осигурява 22% увеличение на скоростта на превключване на транзисторите при непроменена консумация на енергия и плътност на клетките или 34% намаление на консумацията на енергия при непроменени честоти и плътност на транзисторите и позволява 21% увеличение на плътността на транзисторите, ако е необходимо. Като цяло процесът SF3 ще позволи създаването на компоненти с по-сложна структура и следователно гамата от чипове, произведени по второто поколение 3nm процес на Samsung, ще трябва да се разшири в сравнение с първото поколение.

Успоредно с това продължава разработването на фамилията 4nm технологии на Samsung. Версията SF4X ще бъде подходяща за високопроизводителни компоненти като CPU и GPU, използвани в сървърни среди. Такова решение ще се появи в портфолиото от процеси на Samsung за първи път от много години насам. Скоростта на превключване на транзисторите на SF4X ще бъде увеличена с 10%, а консумацията на енергия ще бъде намалена с 23%. Базата за сравнение не е спомената тук, но е възможно това да е процесът SF4 (4LPP). Напредъкът е постигнат благодарение на оптимизациите на ниво транзисторна структура и използването на нова архитектура на MOL. Последната позволява минималното напрежение да се намали до 60 mV, колебанията на тока в изключено състояние да се ограничат до 10 % и да се осигури стабилност на компонента при напрежения над 1 V. Използването на тази архитектура при производството на клетки за памет, като SRAM, позволява да се увеличи нормата на възвръщаемост. Обикновено новите технологични процеси са само задвижващи чипове на паметта.