Samsung разработва нов тип памет, наречена DRAM памет с ниска латентност и широк вход/изход (LLW), която има много висока пропускателна способност, ниска латентност и ниска консумация на енергия. Компанията предполага, че новата памет ще се използва предимно в системи за изкуствен интелект, базирани на големи езикови модели (LLM), въпреки че ще бъде подходяща и за други натоварвания, включително клиентски натоварвания.

LLW DRAM на Samsung е памет с ниска консумация на енергия, с широки входно-изходни възможности, ниска латентност и пропускателна способност от 128 гигабайта/сек на модул (или стек), което е сравнимо с комбинацията от памет DDR5-8000 и 128-битова шина. Твърди се, че една от ключовите характеристики на LLW DRAM паметта на Samsung е нейната ниска консумация на енергия от 1,2 pJ/бит, въпреки че компанията не разкрива при каква скорост на предаване на данни е измерена тази стойност.

Въпреки че Samsung все още не е разкрила технически подробности за LLW DRAM, си струва да се припомни, че компанията от известно време разработва памет с широки интерфейси, като GDDR6W. Възможно е Samsung да комбинира капацитета на няколко такива DRAM модула, интегрирани в един пакет, като използва технологията Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) за разширяване на интерфейсната лента и намаляване на консумацията на енергия.

Samsung стандартизира своята GDDR6W памет през второто тримесечие на 2022 г. и планира да я използва в системи за изкуствен интелект, високопроизводителни компютърни ускорители и клиентски компютри. Вероятно LLW DRAM ще се използва в периферни изчислителни устройства за системи с изкуствен интелект, като смартфони, лаптопи и евентуално автомобилни системи.

Samsung рядко разкрива кога обещаващата ѝ технология ще се появи на пазара, така че сроковете за LLW DRAM в реални устройства все още не са ясни. Но тъй като Samsung вече публикува подробности за очакваната производителност на технологията, разработката на LLW DRAM вероятно е почти завършена.